本測試方法主要用于耐濕性評估和強健性測試。樣品放置于一個高壓、高濕環(huán)境下，在壓力下濕氣進入封裝，使弱點暴露，如分層、金屬腐蝕。本測試用于評估新封裝或封裝材料變更（塑封料、芯片鈍化層）或設計變更（如芯片、觸點尺寸）。但本試驗不應用于基于封裝的層壓板或膠帶，如FR4材料、聚酰亞胺膠帶等。
運行本試驗和評估試驗結(jié)果須考慮一些注意事項。失效機制，內(nèi)部和外部的，可能產(chǎn)生于不符合預期使用條件。大多半導體元件在應用時不會超過95%濕度，包括壓縮濕氣如下雨或霧。高溫高濕和高壓的綜合可能產(chǎn)生非現(xiàn)實的材料失效因為吸濕對大多數(shù)塑料材料會降低玻璃化溫度。高壓蒸煮試驗結(jié)果推斷應小心。
無偏高壓蒸煮試驗的目的在于用壓縮濕氣或飽和濕氣環(huán)境下，評估非氣密性封裝固態(tài)元件的抗?jié)裥浴＿@是一個采用壓力、濕度、濕度條件的高加速試驗，在高壓條件下加速濕氣滲透到外外部保護物料（塑封料或絲印）或沿外保護物料與金屬導電層之間界面滲入。本測試用于識別封裝內(nèi)部的失效機制，并且是破壞性的。
本測試要求一個可維持規(guī)定溫度和濕度的PCT高壓蒸煮試驗箱。
2.1記錄
建議每個測試循環(huán)有一套溫度曲線記錄，以便驗證應力條件。
2.2應力儀器
應力儀器不近于內(nèi)部箱表面3cm,不能直接受熱。
2.3離子污染
測試工件不應受到離子污染。
2.4蒸餾水或去離子水
小1M.cm電阻
測試條件包括溫度、濕度、蒸氣壓和時間
注1公差應用于整個可用的試驗區(qū)域。
注2試驗條件應持續(xù)施加，除去中間讀數(shù)點。對中間讀數(shù)點，器件件應在5.2規(guī)定時間內(nèi)返回加壓。
注3本文件之前的版本規(guī)定以下試驗條件。
條件A：24hrs（-0，+2）
條件B：48hrs（-0，+2）
條件C：96hrs（-0，+5）
條件D：168hrs（-0，+5）
條件E：240hrs（-0，+8）
條件F：336hrs（-0，+8）
試驗時間由內(nèi)部鑒定要求、JESD47或適用的程序文件規(guī)定。典型為96小時。
注意：對塑封微電路，濕氣會降低塑封料的有效的玻璃化溫度。在有效的玻璃化溫度之.上的應力溫度可能導致與操作使用相關的失效機理。
受試器件應以一定方式固定，暴露在規(guī)定的溫度、濕度條件下。應避免元件置于100℃以上和小于10%R.H.濕度的環(huán)境中，特別是上升、下降和先期測量干燥期間。上升和下降時間應分別小于3小時。在設備控制和冷卻程序時要特別小心防止受試器件受到破壞性的降壓。確保減少污染，經(jīng)常清潔試驗腔體。
4.1試驗周期
溫度和相對濕度達到第4條規(guī)定的設定點啟動試驗計時，并在下降開始點停止計時。
4.2測試
電測試應在下降結(jié)束降到室溫不早于2小時，不超過48小時內(nèi)進行。對于中間測量，在下降階段結(jié)束后96小時內(nèi)器件恢復應力。器件從高壓蒸煮試驗箱移出后,可以通過把器件放入密封的潮濕袋(無干燥劑)中來減小器件的潮氣釋放速率。當器件放入密封袋時，測試時間計時以器件暴露于實驗室環(huán)境中潮氣釋放速率的1/3來計算。這樣通過把器件裝入潮氣密封袋中測試時間可延長到144小時，壓力恢復時間也延長到288小時。
4.3處理
應使用消除任何來源的附帶污染或靜電放電損壞的手環(huán)，處理器件和測試夾具。在本試驗和任何高加速濕氣應力試驗中，污染控制是重要的。
如果試驗后，器件參數(shù)超過極限值，或按適用的采購文件和數(shù)據(jù)表中規(guī)定的正常和極限環(huán)境中不能驗證其功能時，器件視為失效。由于外部封裝損傷造成的電失效不作為失效標準考慮范圍。
遵守設備生產(chǎn)廠家建議和當?shù)匕踩ㄒ?guī)。
有關的采購文件中應規(guī)定如下內(nèi)容:
a)試驗持續(xù)時間
b)試驗后測量
8.1設備介紹
PCT高壓蒸煮試驗箱是利用高溫、高濕及加強的大氣壓力測試來評估IC產(chǎn)品對濕氣的抵抗能力。其和THB測試之不同處為不加偏壓，且用較高的溫度（121°C）及較高的濕度（100%R.H.）。
8.2設備參數(shù)
電子電器產(chǎn)品更新?lián)Q代強，對塑料部件的熔接要求越來越高。而超聲波焊接技術具有環(huán)保、節(jié)能、安全、不需輔助劑等優(yōu)點，適應了電子電器行業(yè)的高需求。
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